Pesquisadores da Alemanha e dos Estados Unidos demonstraram como pulsos de laser infravermelho podem transicionar os elétrons entre dois estados diferentes em uma película de semicondutora na faixa de Gigahertz, ou 1 bilhão de operações por segundo.
O material utilizado consiste numa única camada de tungstênio e selênio com uma estrutura de favo de mel. O material não é difícil de produzir e tem somente alguns átomos de espessura, funcionando a temperatura ambiente.